ویفر سیلیکونی
یک برش بسیار نازک از کریستال سیلیکون است که جهت ساخت سلول خورشیدی از آن استفاده می‌شود.
روش تولید استاندارد برای تولید مونو کریستال سیلیکون روش Czochralski (CZ) است. این روش امکان تولید کریستال‌های سیلیکونی با خلوص بالا و تا قطر 450mm را هم فراهم ساخته است. نسل‌‌های مختلف کشنده های Puller تک کریستال CZ در شکل 11و 12 دیده می‌شود.
در این روش پلی سیلیکون گرید الکترونیکی داخل یک کاسه کوارتزی با خلوص بالا و در داخل یک کوره کشنده کریستال قرار می‌گیرد. برای کریستال mm 300 که وزنی در حدود kg 300 الی kg 400 دارد تا دمایی کمی بالاتر از نقطه جوش (1415°C) حرارت می‌گیرد. یک کریستال سیلیکونی میله‌ای، Seed، داخل مذاب پلی‌سیلیکون فروبرده می‌شود و به آرامی درآورده می‌شود و این در حالی است که کاسه و میله سیلیکونی در خلاف جهت هم به آرامی می‌چرخند. این فرایند در شکل 13 به تصویر کشیده شده است. سرعت چرخش کاسه و میله سیلیکونی و همچنین سرعت خارج نمودن میله دو پارامتر بسیار مهم جهت تشکیل کریستال هستند.
