سیلیکون که دومین ماده فراوان در پوسته زمین محسوب می‌شود به صورت ترکیب سیلیکا SiO_2 یافت می‌شود و از سنگ‌های غنی از سیلیکا با خلوص مناسب قابل استخراج است. این سنگ‌ها در طبیعت معمولا با مقادیر زیادی ناخالصی همراه است که مراحل اولیه تولید به کاهش ناخالصی‌ها و خالص‌سازی سیلیکا برای بدست آوردن سیلیکون گرید متالورژیکی با خلوص بیش از 98 درصد سیلیکون اختصاص دارد. در ادامه به روند تولید این خالص سازی تا ساخت پلی‌سیلیکون با گرید سولار و یا گرید نیمه‌هادی خواهیم پرداخت. خلوص مورد نیاز سیلیکون برای استفاده در پنل‌های خورشیدی 99.9999 درصد است که 6N نامیده می‌شود. همچنین خلوصی که برای تولید نیمه رساناها لازم است از 9N-11N متغیر است. در جدول ذیل میزان هریک از ناخالصی‌های موجود در سیلیسیم در سه گرید مختلف آورده شده است.

ابتدا رشد کریستال‌های سیلیکونی با روش Float Zone تحقق یافت و پس از آن روش‌هایی پایه‌گذاری شد که هدف تولید سطوح سیلیکونی بزرگ، تخت و صاف با هزینه پایین را محقق می‌ساخت. به تدریج این روش ها به صورت تجاری قطر ویفر را از حدود mm 5/0 به mm300 افزایش دادند. به طور تحقیقاتی افزایش قطر ویفر تا بیش از mm 450 نیز گزارش شده است و همچنان به عنوان موضوعی بسیار پر اهمیت توسط گروه های تحقیقاتی مختلف پیگیری می‌شود. به طور مشابه تکنولوژی رشد کریستال و زیرلایه به صورت چشم‌گیری در حال تکامل است تا با ارائه پلت فرم های ساخت منحصر به فرد پاسخ گوی نیاز روزافزون صنعت سولار باشد. زیر مجموعه های مختلف تولید صنعتی پلی‌سیلیکون بر اساس روش Siemens و ویفر سیلیکونی در شکل زیر بعنوان دو محصول نهایی سیلیکون آراز آورده شده است.

بر این اساس پیشرفت پروژه کارخانه پلی سیلیکون آراز مطابق با طراحی و امکان سنجی های به عمل آمده در مرحله تکمیل حلقه سرمایه گذاران است. پس از مشخص شدن ترکیب سرمایه گذاران با انتخاب بهترین مکان جغرافیایی از بین موقعیت های مکانی بررسی شده، عملیات تامین و اجرا کارخانه پلی سیلیکون آراز شروع خواهد شد.